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物理气相沉积PVD设备:什么是物理气相沉积(PVD)

  • 电炉类型:高温电炉
  • 电炉名称:物理气相沉积PVD设备:什么是物理气相沉积(PVD)
  • 电炉类型:热震炉
  • 电炉系列:西格马SGM
  • 电炉规格:
  • 电炉温度:
  • 咨询热线:400-600-3293
  • 产品详情

什么是物理气相沉积(PVD)

物理气相沉积(PhysicalVaporDeposition)是以物理机制来进行薄膜沉积技术,所谓物理机制就是物质的相变化,如蒸镀(Evaporation)、溅镀(Sputtering)。而这种过程无涉及化学反应,因此所沉积的材料纯度好且品质稳定。而PVD的溅镀制作过程,可以达成快速的沉积速率、准确的沉积厚度控制、精度的成份控制及较低的制造成本。所以溅镀是目前半导体工业所大量采用的薄膜制作方式,以目前之金属化制作过程来看:Ti、Ta、TiN、TaN等所谓的反扩散层或是黏合层及导线连接Al/Cu,都可使用物理气相沉积法来完成。

物理气相沉积(PhysicalVaporDeposition,PVD)技术表示在真空条件下,采用物理方法,将材料源——固体或液体表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子,并通过低压气体(或等离子体)过程,在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。

物理气相沉积的主要方法有,真空蒸镀、溅射镀膜、电弧等离子体镀、离子镀膜,及分子束外延等。发展到目前,物理气相沉积技术不仅可沉积金属膜、合金膜、还可以沉积化合物、陶瓷、半导体、聚合物膜等。

磁控溅射技术属于PVD(物理气相沉积PhysicalVaporDeposition)技术的一种,是制备薄膜材料的重要方法之一。它是利用带电荷的粒子在电场中加速后具有一定动能的特点,将离子引向被溅射的物质制成的靶电极(阴极),并将靶材原子溅射出来使其沿着一定的方向运动到衬底并在衬底上沉积成膜的方法。磁控溅射设备使得镀膜厚度及均匀性可控,且制备的薄膜致密性好、粘结力强及纯净度高。该技术已经成为制备各种功能薄膜的重要手段。

真空蒸镀基本原理是在真空条件下,使金属、金属合金或化合物蒸发,然后沉积在基体表面上,蒸发的方法常用电阻加热,高频感应加热,电子束、激光束、离子束高能轰击镀料,使蒸发成气相,然后沉积在基体表面,历史上,真空蒸镀是PVD法中使用蕞早的技术。

溅射镀膜基本原理是充氩(Ar)气的真空条件下,使氩气进行辉光放电,这时氩(Ar)原子电离成氩离子(Ar+),氩离子在电场力的作用下,加速轰击以镀料制作的阴极靶材,靶材会被溅射出来而沉积到工件表面。如果采用直流辉光放电,称直流(Qc)溅射,射频(RF)辉光放电引起的称射频溅射。磁控(M)辉光放电引起的称磁控溅射。电弧等离子体镀膜基本原理是在真空条件下,用引弧针引弧,使真空金壁(阳极)和镀材(阴极)之间进行弧光放电,阴极表面快速移动着多个阴极弧斑,不断迅速蒸发甚至“异华”镀料,使之电离成以镀料为主要成分的电弧等离子体,并能迅速将镀料沉积于基体。因为有多弧斑,所以也称多弧蒸发离化过程。

离子镀基本原理是在真空条件下,采用某种等离子体电离技术,使镀料原子部分电离成离子,同时产生许多高能量的中性原子,在被镀基体上加负偏压。这样在深度负偏压的作用下,离子沉积于基体表面形成薄膜。

物理气相沉积技术基本原理可分三个工艺步骤:

(1)镀料的气化:即使镀料蒸发,升华或被溅射,也就是通过镀料的气化源。

(2)镀料原子、分子或离子的迁移:由气化源供出原子、分子或离子经过碰撞后,产生多种反应。

(3)镀料原子、分子或离子在基体上沉积。

物理气相沉积技术工艺过程简单,对环境改善,无污染,耗材少,成膜均匀致密,与基体的结合力强。该技术广泛应用于航空航天、电子、光学、机械、建筑、轻工、冶金、材料等领域,可制备具有耐磨、耐腐蚀、装饰、导电、绝缘、光导、压电、磁性、润滑、超导等特性的膜层。

1、1、蒸镀(Evaporation)

蒸镀原理(图1、图2)是在高真空腔体中,放入所要蒸镀的材料,利用电热丝或电子束加热升温达到熔化、气化温度,使材料蒸发,到达并附着在基板(晶圆)表面上的一种镀膜技术。在蒸镀过程中,被镀物的表面温度对蒸镀所形成的薄膜的特性有很重要的影响。基板须要适当加热,使得蒸镀原子可以在基板表面自由移动,如此才能形成均匀的薄膜。基板加热至150℃以上时,可以使沉积膜与基板间形成良好的键结而不致剥落。

1、2、溅镀(Sputter)

Sputter是利用在高真空的环境下,反应室通入适当的气体(大多使用氩气Ar),并控制在适当的压力下,反应室内的自由电子去撞击Ar分子,造成Ar的解离,产生二次电子与Ar离子,Ar离子受到靶材上负电位的影响,加速去撞击靶材,将靶材上的金属给撞击下来,并沉积在晶片表面上。(图3)靶材的冷却则是当靶材不断受到高能量(温度与速度)的Ar离子轰击,会使得靶材的温度持续升高,温度过高将破坏靶材与周边治具的结合,因此必须冷却。一般靶材都是用水冷却,冷却水流过靶材背面将热量带走,达到冷却的目的。

绝缘材料的溅镀乃绝缘薄膜须利用射频溅镀或反应溅镀。若采用直流电溅镀,将造成靶材表面电荷持续堆积而无法溅镀。电荷持续堆积过量,可能瞬间放电,产生高能高热,损坏靶材与周边。例如TiO2、Ta2O3?等。所谓反应溅镀(ReactiveSpuutering)是溅镀时将反应性气体加入腔体中进行反应。例如:在氩气加氮气的环境下溅镀钛,会形成氮化钛(TiN)。

PVD镀膜技术特殊效应与现象

Sputter其主要镀膜点是纯度高、低温可形成薄膜,而其额定的缺点就是阶梯覆盖率(StepCoverage)比较差(相较于CVD)。溅镀本身受到溅射原子多方向与多角度散射的影响下,不易在非水平表面下,得到连续且均匀覆盖(Conformal)的薄膜。当制作过程线宽极小化的时后,用传统PVD镀膜的方式就有其缺陷存在。图4为阶梯覆盖率不良的示意图。

阶梯覆盖率改善的方式

2、1、基板加温:加热基材表面,使封口时机延后

2、2、使用准直管(图5)

2、3、使用力场将粒子移动方向拉直(图6)

物理气相沉积(PVD)是目前在半导体制作过程中,蕞被广泛与常态运用于金属薄膜、金属氮化物、氧化物的镀膜技术。虽然在小线宽的薄膜沉积能力,化学气相沉积有较的效果,即便如此PVD仍可透过各种不断创新的制作过程技术与设备去克服小线宽阶梯覆盖率不良的问题。因此物理气相沉积法仍在半导体制作过程上,依旧占有着举足轻重、不可或缺的关键性角色。目前各项薄膜技术中,PVD成膜速度及薄膜纯度等点,仍是PVD额定的势。相信在可预见的未来,半导体及相关电子产业界,物理气相沉积仍是不可能被取代。

真空蒸镀

(一)真空蒸镀原理

(1)真空蒸镀是在真空条件下,将镀料加热并蒸发,使大量的原子、分子气化并离开液体镀料或离开固体镀料表面(升华)。

(2)气态的原子、分子在真空中经过很少的碰撞迁移到基体。

(3)镀料原子、分子沉积在基体表面形成薄膜。

(二)蒸发源

将镀料加热到蒸发温度并使之气化,这种加热装置称为蒸发源。蕞常用的蒸发源是电阻蒸发源和电子束蒸发源,特殊用途的蒸发源有高频感应加热、电弧加热、辐射加热、激光加热蒸发源等。

(三)真空蒸镀工艺实例以塑料金属化为例,真空蒸镀工艺包括:镀前处理、镀膜及后处理。

真空蒸镀的基本工艺过程如下:

(1)镀前处理,包括清洗镀件和预处理。具体清洗方法有清洗剂清洗、化学溶剂清洗、超声波清洗和离子轰击清洗等。具体预处理有除静电,涂底漆等。

(2)装炉,包括真空室清理及镀件挂具的清洗,蒸发源安装、调试、镀件褂卡。

(3)抽真空,一般先粗抽至6.6Pa以上,更早打开扩散泵的前级维持真空泵,加热扩散泵,待预热足够后,打开高阀,用扩散泵抽至6×10-3Pa半底真空度。

(4)烘烤,将镀件烘烤加热到所需温度。

(5)离子轰击,真空度一般在10Pa~10-1Pa,离子轰击电压200V~1kV负高压,离击时间为5min~30min,

(6)预熔,调整电流使镀料预熔,除气1min~2min。

(7)蒸发沉积,根据要求调整蒸发电流,直到所需沉积时间结束。

(8)冷却,镀件在真空室内冷却到一定温度。

(9)出炉,.取件后,关闭真空室,抽真空至l×l0-1Pa,扩散泵冷却到允许温度,才可关闭维持泵和冷却水。

(10)后处理,涂面漆。

溅射镀膜

溅射镀膜是指在真空条件下,利用获得功能的粒子轰击靶材料表面,使靶材表面原子获得足够的能量而逃逸的过程称为溅射。被溅射的靶材沉积到基材表面,就称作溅射镀膜。溅射镀膜中的入射离子,一般采用辉光放电获得,在l0-2Pa~10Pa范围,所以溅射出来的粒子在飞向基体过程中,易和真空室中的气体分子发生碰撞,使运动方向随机,沉积的膜易于均匀。发展起来的规模性磁控溅射镀膜,沉积速率较高,工艺重复性好,便于自动化,已适当于进行大型建筑装饰镀膜,及工业材料的功能性镀膜,及TGN-JR型用多弧或磁控溅射在卷材的泡沫塑料及纤维织物表面镀镍Ni及银Ag。

等离子体镀膜

这里指的是PVD领域通常采用的冷阴极电弧蒸发,以固体镀料作为阴极,采用水冷、使冷阴极表面形成许多亮斑,即阴极弧斑。弧斑就是电弧在阴极附近的弧根。在极小空间的电流密度极高,弧斑尺寸极小,估计约为1μm~100μm,电流密度高达l05A/cm2~107A/cm2。每个弧斑存在极短时间,爆发性地蒸发离化阴极改正点处的镀料,蒸发离化后的金属离子,在阴极表面也会产生新的弧斑,许多弧斑不断产生和消失,所以又称多弧蒸发。蕞早设计的等离子体加速器型多弧蒸发离化源,是在阴极背后配置磁场,使蒸发后的离子获得霍尔(hall)加速效应,有利于离子增大能量轰击量体,采用这种电弧蒸发离化源镀膜,离化率较高,所以又称为电弧等离子体镀膜。由于镀料的蒸发离化靠电弧,所以属于区别于第二节,第三节所述的蒸发手段。

离子镀

离子镀技术蕞早在1963年由D.M.Mattox提出,1972年,Bunshah&Juntz推出活性反应蒸发离子镀(AREIP),沉积TiN,TiC等超硬膜,1972年Moley&Smith发展完善了空心热阴极离子镀,l973年又发展出射频离子镀(RFIP)。20世纪80年代,又发展出磁控溅射离子镀(MSIP)和多弧离子镀(MAIP)。

(一)离子镀

离子镀的基本特点是采用某种方法(如电子束蒸发磁控溅射,或多弧蒸发离化等)使中性粒子电离成离子和电子,在基体上必须施加负偏压,从而使离子对基体产生轰击,适当降低负偏压后,使离子进而沉积于基体成膜。离子镀的点如下:①膜层和基体结合力强。②膜层均匀,致密。③在负偏压作用下绕镀性好。④无污染。⑤多种基体材料均适合于离子镀。

(二)反应性离子镀

如果采用电子束蒸发源蒸发,在坩埚上方加20V~100V的正偏压。在真空室中导人反应性气体。如N2、O2、C2H2、CH4等代替Ar,或混入Ar,电子束中的高能电子(几千至几万电子伏特),不仅使镀料熔化蒸发,而且能在熔化的镀料表面激励出二次电子,这些二次电子在上方正偏压作用下加速,与镀料蒸发中性粒子发生碰撞而电离成离子,在工件表面发生离化反应,从而获得氧化物(如TeO2:SiO2、Al2O3、ZnO、SnO2、Cr2O3、ZrO2、InO2等)。其特点是沉积率高,工艺温度低。

(三)多弧离子镀

多弧离子镀又称作电弧离子镀,由于在阴极上有多个弧斑持续呈现,故称作“多弧”。多弧离子镀的主要特点如下:(1)阴极电弧蒸发离化源可从固体阴极直接产生等离子体,而不产生熔池,所以可以任意方位布置,也可采用多个蒸发离化源。(2)镀料的离化率高,一般达60%~90%,显著提高与基体的结合力改善膜层的性能。(3)沉积速率高,改善镀膜的效率。(4)设备结构简单,弧电源工作在低电压大电流工况,工作较为安全。

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